紫外納米芯片光刻系統(tǒng)自動化方案，本機(jī)統(tǒng)針對(duì)各大專院校、企業(yè)及科研單位工藝技術，對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統(tǒng)效率。

 公司產(chǎn)品涵蓋金屬材料檢測與非金屬材料檢測，品種達(dá)一百多個(gè)近年來。土木工程類高校用到的：大型多功能結(jié)構(gòu)試驗(yàn)系統(tǒng)講道理、巖土工程試驗(yàn)系統(tǒng)、自平衡反力架技術先進、力學(xué)模型試驗(yàn)系統(tǒng)更多的合作機會、電液伺服疲勞系統(tǒng)、高溫高壓應(yīng)力腐蝕試驗(yàn)系統(tǒng)認為、千斤頂檢定裝置等服務好。

一、紫外納米芯片光刻系統(tǒng)主要用途

⒈ 本機(jī)針對(duì)各大專院校反應能力、企業(yè)及科研單位共謀發展，對(duì)光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī)。

⒉ 由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)先進(jìn)結構重塑，找平力小聽得懂、使本機(jī)不僅適合單晶硅片、玻璃片先進水平、陶瓷片便利性、銅片、不銹鋼片重要平臺、寶石片的曝光深刻認識，而且也適合易碎片如砷化鉀方式之一、磷化銦等基片結論、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光高效流通。

3.工作方式 ：本機(jī)為單面對(duì)準(zhǔn)解決問題、單面曝光。

二道路、技術(shù)參數(shù)

1.曝光時(shí)間調(diào)解器：0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)規模設備；
2.365-400nm光強(qiáng)傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán)；
3.聲控功率警報(bào)裝置可防止系統(tǒng)功率超過設(shè)定指標(biāo)指導；
4.有安全保護(hù)裝置的溫度及其氣流傳感器競爭力；
5.全景準(zhǔn)直透鏡光線偏差半角:<1.84度；
6.波長濾片檢查及安裝裝置資料；
7.抗衍射反射功能高效反光鏡廣泛應用；
8.二向色的防熱透鏡裝置；
9.防汞燈泄漏裝置橫向協同；
10.配備蠅眼棱鏡裝置哪些領域；
11.配備近紫外（或深紫外）光源

12.主要配置：6“，8"光源系統(tǒng)不斷創新，
13.手動(dòng)系統(tǒng)建立和完善，半自動(dòng)系統(tǒng)。
14..CCD或顯微鏡對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)參與水平。
15.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：0.5 um大型。
16.支持背后對(duì)準(zhǔn)及MEMS工藝要求。
17.主要性能指標(biāo)：光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2"情況較常見。區(qū)域可持續，--<±2% over 4"區(qū)域，--<±3% over 6"區(qū)域體製。

三、主要構(gòu)成：主要由高精度對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)創新科技、雙目分離視場顯微鏡顯示系統(tǒng)服務延伸、曝光頭、氣動(dòng)系統(tǒng)具有重要意義、真空管路系統(tǒng)進一步、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺(tái)和附件等組成強大的功能。

四實際需求、主要功能特點(diǎn)

1.適用范圍廣：適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對(duì)準(zhǔn)曝光優勢。

2.結(jié)構(gòu)先進(jìn)：具有半球式找平機(jī)構(gòu)和可實(shí)現(xiàn)真空硬接觸善謀新篇、軟接觸、微力接觸的真空密著機(jī)構(gòu)便利性。

3.操作簡便：采用翻板方式取片方法、放片行動力；按鈕、按鍵方式操作切實把製度，可實(shí)現(xiàn)真空吸版保供、吸片、吸浮球銘記囑托、吸掃描鎖等功能引領，操作、調(diào)試示範、維護(hù)勞動精神、修理都非常簡便。

4.特設(shè)“碎片"處理功能：解決非圓形基片製度保障、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對(duì)準(zhǔn)的問題預下達。